TP65B110HRU-TR

Renesas Electronics
227-TP65B110HRU-TR
TP65B110HRU-TR

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 104

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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
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包裝:
完整捲（訂購多個1300）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$60.01 HK$60.01
HK$42.42 HK$424.20
HK$35.26 HK$3,526.00
HK$31.40 HK$15,700.00
完整捲（訂購多個1300）
HK$27.95 HK$36,335.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Renesas Electronics
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SuperGaN
品牌: Renesas Electronics
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: JP
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品類型: GaN FETs
系列: TP65B110HRU
原廠包裝數量: 100
子類別: Transistors
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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