STGW75H65DFB2-4

STMicroelectronics
511-STGW75H65DFB2-4
STGW75H65DFB2-4

製造商：

說明：
IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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規格書:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
115 A
357 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
品牌: STMicroelectronics
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 600
子類別: IGBTs
每件重量: 4.430 g
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所選屬性: 0

規格書

PCN

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

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