STGWT40HP65FB

STMicroelectronics
511-STGWT40HP65FB
STGWT40HP65FB

製造商：

說明：
IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
完成您的設計

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於STMicroelectronics STGWT40HP65FB的資訊

庫存量: 833

庫存：
833 可立即送貨
工廠前置作業時間：
14 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$27.37 HK$27.37
HK$14.88 HK$148.80
HK$9.95 HK$995.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 30 V, 30 V
80 A
283 W
- 55 C
+ 175 C
STGWT40HP65FB
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 80 A
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: KR
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 300
子類別: IGBTs
每件重量: 5.500 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。