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STPSC406B-TR

Name: STMicroelectronics STPSC406B-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC406B-TR
Price: 20.63 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

511-STPSC406B-TR

製造商編號：

STPSC406B-TR

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽肖特基二極管 600 V Power Schottky Diode

完成您的設計

壽命週期:

壽命結束:

計劃停產且製造商將停止供貨。

規格書:

STPSC406B-TR 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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HK$-.--

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MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$20.63	HK$20.63
	HK$13.32	HK$133.20
	HK$9.12	HK$912.00
	HK$7.28	HK$3,640.00
	HK$6.74	HK$6,740.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$6.74	HK$16,850.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DPAK
配置:	Single
If - 順向電流:	4 A
Vrrm - 重複反向電壓:	600 V
Vf - 順向電壓:	1.9 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	14 A
Ir - 反向電流:	50 uA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STPSC
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Diodes & Rectifiers
每件重量:	1.700 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STPSC406B-TR 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 8541100901
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

STPSC蕭特基碳化矽二極體

STMicroelectronics蕭特基碳化矽二極體運用SiC優於標準矽的優異物理特性，提供高出4倍的動態特性與減少15%的順向電壓 (VF)。ST的碳化矽二極體擁有低反向恢復特性，因此成為SMPS應用和其他新興領域的關鍵節能因素，而這些領域包括太陽能轉換、EV或HEV充電站，以及焊接設備和空調等應用。STMicroelectronics SiC產品組合在原有的4至12安培穿孔和SMD封裝產品選項中，加入了20A、600V二極體，採用不含鹵素的TO-247封裝。另外亦提供第二代6A、1200V裝置及650V系列。