STW35N60DM2

STMicroelectronics
511-STW35N60DM2
STW35N60DM2

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
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規格書:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$45.37 HK$45.37
HK$25.73 HK$257.30
HK$19.48 HK$1,948.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
28 A
110 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
54 nC
- 55 C
+ 150 C
210 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 10.7 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 17 ns
系列: STW35N60DM2
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 68 ns
標準開啟延遲時間: 21.2 ns
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

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