STW36N60M6

STMicroelectronics
511-STW36N60M6
STW36N60M6

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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規格書:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$57.54 HK$57.54
HK$33.04 HK$330.40
HK$27.04 HK$2,704.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
85 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
44.3 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 7.3 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5.3 ns
系列: Mdmesh M6
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 50.2 ns
標準開啟延遲時間: 15.2 ns
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET結合低閘極電荷(Qg)與優化電容尺寸，為電源轉換應用中的新拓撲結構提供高效率。超級接面MDmesh M6系列提供極高效性能，為高頻率運行帶來更高電源密度及低閘極電荷。M6系列MOSFET具有600至700V的擊穿電壓，並具有豐富的封裝選項，包括TO無鉛(TO-LL)封裝解決方案，可實現高效的熱管理。這些裝置具有適用於工業應用的多種運行電壓，包括充電器、適配器、銀盒模組、LED照明、電訊、伺服器及太陽能。

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