GP2T080A120J

SemiQ
148-GP2T080A120J
GP2T080A120J

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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總價:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$61.90 HK$61.90
HK$43.73 HK$437.30
HK$36.33 HK$3,633.00
HK$32.39 HK$16,195.00
HK$30.33 HK$30,330.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
SemiQ
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
35 A
77 mOhms
- 10 V, + 25 V
4 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
品牌: SemiQ
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: PH
下降時間: 10 ns
互導 - 最小值: 8 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 3 ns
系列: GP2T020A120
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 17 ns
標準開啟延遲時間: 10 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET delivers lower capacitance and higher system efficiency. The GP2T080A120H features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode. The GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. Furthermore, the GP2T080A120H s easy to parallel and offers a lower Qg. The device is ideal for solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.

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