似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

CSD17309Q3

Name: Texas Instruments CSD17309Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17309Q3
Price: 13.65 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-CSD17309Q3

製造商編號：

CSD17309Q3

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

規格書:

CSD17309Q3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Texas Instruments CSD17309Q3的資訊

庫存量: 5,087

庫存：: 5,087 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 6 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1 上限： 150

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個2500）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$13.65	HK$13.65
	HK$8.71	HK$87.10
	HK$5.80	HK$580.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$5.80	HK$14,500.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	VSON-CLIP-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	60 A
Rds On - 漏-源電阻:	5.4 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.2 V
Qg - 閘極充電:	7.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	2.8 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
組裝國家:	PH
擴散國:	TW, CN
原產國:	PH
開發套件:	DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
下降時間:	3.6 ns
互導 - 最小值:	67 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	9.9 ns
系列:	CSD17309Q3
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	13.2 ns
標準開啟延遲時間:	6.1 ns
每件重量:	44.500 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CSD17309Q3 規格書

Models

CSD17309Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

Technical Resources

CSD17309Q3 TINA-TI Reference Design

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

CSD17309Q3 NexFET™ Power MOSFET

Texas Instruments CSD17309Q3 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and is optimized for 5V gate drive applications. The Texas Instruments CSD17309Q3 N-Channel NexFET MOSFET features ultra-low on-resistance and low thermal resistance. This MOSFET is ideal for notebook point of load and point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems applications.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.