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UCC20225AQNPLRQ1

Name: Texas Instruments UCC20225AQNPLRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC20225AQNPLRQ1
Price: 52.94 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

595-UCC20225AQNPLRQ1

製造商編號：

UCC20225AQNPLRQ1

製造商：

Texas Instruments

說明：

電氣隔離式閘極驅動器 Automotive 2.5kVrms 4A/6A dual-channel A A 595-UCC20225AQNPLTQ1

規格書:

UCC20225AQNPLRQ1 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 3,787

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$52.94	HK$52.94
	HK$40.44	HK$404.40
	HK$37.32	HK$933.00
	HK$33.87	HK$3,387.00
	HK$32.22	HK$8,055.00
	HK$30.50	HK$15,250.00
	HK$25.40	HK$25,400.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$24.50	HK$73,500.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

UCC20225AQNPLTQ1

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$56.64

最小值:

相似產品

製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

UCC20225AQNPLTQ1

說明：

電氣隔離式閘極驅動器 Automotive 2.5kVrms 4A/6A dual-channel A 595-UCC20225AQNPLRQ1

壽命週期:

壽命結束: 計劃停產且製造商將停止供貨。

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	電氣隔離式閘極驅動器
RoHS:
系列:	UCC20225A
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	VLGA-13
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
Pd - 功率消耗 :	950 mW
傳輸延遲 - 最大值:	30 ns
上升時間:	6 ns
下降時間:	7 ns
資格:	AEC-Q100
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
組裝國家:	PH
擴散國:	JP
原產國:	PH
邏輯類型:	CMOS, TTL
濕度敏感:	Yes
驅動器數:	2 Driver
輸出數:	2 Output
運作供電電流:	2.5 mA
輸出電流:	6 A
輸出電壓:	25 V
產品:	Isolated Gate Drivers
產品類型:	Galvanically Isolated Gate Drivers
原廠包裝數量:	3000
子類別:	PMIC - Power Management ICs
電源電壓 - 最大值:	18 V
電源電壓 - 最小值:	3 V
技術:	GaN
類型:	High-Side, Low-Side

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

UCC20225AQNPLRQ1 規格書

Application Notes

Why use PSR-flyback isolated converters in dual-battery mHEV systems

SPICE Models

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

UCC20225/UCC20225-Q1 Isolated Gate Drivers

Texas Instruments UCC20225/UCC20225-Q1 Isolated Gate Drivers are single-input, dual-channel gate drivers with 4A source and 6A sink peak current. This driver comes in a space-saving 5mm x 5mm LGA-13 package. This device is designed to drive power MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs up to 5MHz with best-in-class propagation delay and pulse-width distortion, in applications requiring the highest power density. The input side is isolated from the two output drivers by a 2.5kV_RMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 100V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 700VDC.