TW015Z65C,S1F

Name: Toshiba TW015Z65C,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TW015Z65CS1F
Price: 455.55 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

757-TW015Z65CS1F

製造商編號：

TW015Z65C,S1F

製造商：

Toshiba

說明：

碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

規格書:

TW015Z65C,S1F 規格書 (PDF)

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	HK$455.55	HK$455.55
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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	100 A
Rds On - 漏-源電阻:	15 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5 V
Qg - 閘極充電:	128 nC
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	342 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	Toshiba
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	23 ns
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	19 ns
系列:	3rd Generation
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	59 ns
標準開啟延遲時間:	40 ns

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規格書

TW015Z65C,S1F 規格書 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V和1200V第三代SiC MOSFET

Toshiba 650V和1200V第三代SiC MOSFET係專為高功率工業應用所設計，適用於像是400V和800V AC輸入AC-DC電源供應器、光電 (PV) 變頻器，以及不斷電系統 (UPS) 的雙向DC-DC轉換器。這些Toshiba MOSFET採用SiC技術，對於降低耗電量和提高功率密度很有幫助，因為這項技術能提供更高的電壓、更快的切換和更低的導通電阻。此設計不只具有低輸入電容、一般的閘極輸入電荷，以及僅15mΩ的汲極至源極導通電阻，更進一步提升了可靠性。