SIS128LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIS128LDN-T1-GE3
SIS128LDN-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET PPAK1212 N-CH 80V 10.2A

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

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總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$12.08 HK$12.08
HK$7.63 HK$76.30
HK$5.07 HK$507.00
HK$3.98 HK$1,990.00
HK$3.63 HK$3,630.00
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HK$3.47 HK$10,410.00
HK$3.27 HK$19,620.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
80 V
33.7 A
20.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 6 ns
系列: SIS
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 20 ns
標準開啟延遲時間: 10 ns
每件重量: 1 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是下一代TrenchFET®系列功率MOSFET。TrenchFET第四代MOSFET在PowerPAK® SO-8及1212-8S封裝中提供工業低電阻與低柵極總電荷。這些TrenchFET第四代MOSFET具有極低的RDS(on)特性，轉化為更低的傳導損耗，從而降低功耗。TrenchFET MOSFET還配備了節省空間的PowerPAK® 1212-8封裝，具有類似的效率，但體積只有它的三分之一。典型應用包括大功率DC/DC變換器、同步整流、太陽能微型逆變器及電機驅動開關。

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