C3M0021120K

Wolfspeed
941-C3M0021120K
C3M0021120K

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 813

庫存：
813 可立即送貨
數量超過813會受到最小訂單要求的限制。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$142.70 HK$142.70
HK$97.16 HK$971.60
HK$95.76 HK$11,491.20

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Wolfspeed
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
100 A
28.8 mOhms
- 8 V, + 19 V
2.5 V
162 nC
- 40 C
+ 175 C
469 W
Enhancement
品牌: Wolfspeed
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 14 ns
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 33 ns
系列: C3M
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 57 ns
標準開啟延遲時間: 29 ns
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1.200 V碳化矽功率MOSFET

Wolfspeed  1200V碳化矽功率MOSFET設定了性能、堅固性和易用性設定標準。Wolfspeed MOSFET具有快速開關和低開關損耗功能，與矽MOSFET和IGBT現有產品相比，可確保系統效率、功率密度和整體BOM成本顯著提高。

E-Series AEC-Q101 Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed E-Series AEC-Q101 Silicon Carbide MOSFETs are robust SiC semiconductor devices for the Electric Vehicle (EV) and renewable energy markets. These devices deliver high power density and durability for onboard automotive power conversion systems, off-board charging, solar inverters, and other outdoor applications. These MOSFETs are automotive-qualified and PPAP-capable. The E-Series AEC-Q101 Silicon Carbide MOSFETs are ideal for high-humidity and automotive qualifications and deliver reliable and corrosion-resistant performance.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。