FFSD10120A

onsemi
512-FFSD10120A
FFSD10120A

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 Silicon Carbide Schottky Diode

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Single
10 A
1.2 kV
1.45 V
90 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSD10120A
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: onsemi
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
Pd - 功率消耗 : 283 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 2500
子類別: Diodes & Rectifiers
公司名稱: EliteSiC
Vr - 反向電壓: 1.2 kV
每件重量: 260.370 mg
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.

能源基礎架構解決方案

onsemi能源基礎架構解決方案可應付快速發展的發電、配電和儲電等市場的現況，滿足政府政策所設定的目標及不斷提高的用電量需求。提高效率目標，減少二氧化碳排放量，將重心放在再生能源和潔淨能源，是目前能源基礎架構演進的關鍵要素。onsemi提供完整的節能解決方案產品組合，可滿足高功率應用不斷提升的需求，其產品包含碳化矽 (SiC) 二極體、智慧電源模組和電流感測放大器。  

碳化矽蕭特基二極體

onsemi Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. SiC Schottky Diodes feature no reverse recovery current, temperature independent switching, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.  onsemi offers 650V and 1200V devices in a range of current and package options, ideal for next-generation power system designs.

寬能隙碳化矽裝置

與矽裝置相比，安森美(onsemi)寬能隙 (WBG) 碳化矽 (SiC) 裝置採用全新技術，可提供出色的開關性能及更高的可靠性。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。onsemi的碳化矽產品系列包括650V和1200V二極體、650V和1200V IGBT以及碳化矽二極體功率整合模組 (PIM)、1200V MOSFET和碳化矽MOSFET驅動器以及符合AEC-Q100標準的裝置。

1200V SiC肖特基二極體

onsemi 1200V碳化矽 (SiC) 肖特基二極體為基於矽的裝置提供卓越的開關性能及更高的可靠性。這些SiC肖特基二極體無反向恢復電流，具有溫度獨立開關及卓越的熱性能。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及較小系統尺寸和成本。

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