Name: onsemi FFSP3065B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP3065B-F085
Price: 66.66 HKD
Availability: InStock

說明：

碳化矽肖特基二極管 Auto SiC Schottky Diode, 650 V

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$66.66	HK$66.66
	HK$46.20	HK$462.00
	HK$33.62	HK$3,362.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-2
配置:	Single
If - 順向電流:	30 A
Vrrm - 重複反向電壓:	650 V
Vf - 順向電壓:	1.38 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	110 A
Ir - 反向電流:	40 uA
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	FFSP3065B-F085
資格:	AEC-Q101
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
Pd - 功率消耗 :	197 W
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	50
子類別:	Diodes & Rectifiers
公司名稱:	EliteSiC
Vr - 反向電壓:	650 V

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所選屬性: 0

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規格書

FFSP3065B-F085 規格書

PCN

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

寬能隙碳化矽裝置

與矽裝置相比，安森美(onsemi)寬能隙 (WBG) 碳化矽 (SiC) 裝置採用全新技術，可提供出色的開關性能及更高的可靠性。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。onsemi的碳化矽產品系列包括650V和1200V二極體、650V和1200V IGBT以及碳化矽二極體功率整合模組 (PIM)、1200V MOSFET和碳化矽MOSFET驅動器以及符合AEC-Q100標準的裝置。

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.