NTH4L060N090SC1

onsemi
863-NTH4L060N090SC1
NTH4L060N090SC1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$79.90 HK$79.90
HK$66.75 HK$667.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
900 V
46 A
84 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
87 nC
- 55 C
+ 175 C
221 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 11 ns
互導 - 最小值: 17 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 15 ns
系列: NTH4L060N090SC1
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 29 ns
標準開啟延遲時間: 17 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

將閘極驅動器與EliteSiC MOSFET搭配使用

電動車充電、能源儲存、不斷電系統 (UPS) 和太陽能等能源基礎設施應用正在將系統功率推至數百千瓦，甚至兆瓦等級。這些高功率應用採用半橋、全橋和三相拓撲，為逆變器和BLDC提供多達6個開關的工作週期。視功率等級和開關速度而定，系統設計人員需要包括矽、IGBT和SiC等各種不同的開關技術來滿足其應用要求。

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