NXH006P120M3F2PTHG

onsemi
863-H006P120M3F2PTHG
NXH006P120M3F2PTHG

製造商：

說明：
MOSFET模組 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$1,225.60 HK$1,225.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Press Fit
PIM-36
N-Channel
1.2 kV
191 A
8 mOhms
- 10 V, + 22 V
2.8 V
- 40 C
+ 175 C
556 W
NXH006P120M3F2PTHG
Tray
品牌: onsemi
配置: Half Bridge
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 8.54 ns
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 13.61 ns
原廠包裝數量: 20
子類別: Discrete and Power Modules
公司名稱: EliteSiC
類型: Half Bridge
標準斷開延遲時間: 109 ns
標準開啟延遲時間: 40.53 ns
Vf - 順向電壓: 5.31 V
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所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH006P120MNF2PTG Half-Bridge SiC Module

onsemi NXH006P120MNF2PTG Half-Bridge SiC Module features two 6mΩ 1200V SiC MOSFET switches and a thermistor in an F2 package. The SiC MOSFET switches use M1 technology and are driven with an 18V to 20V gate drive. The NXH006P120MNF2 module provides improved reliability from planar technology and low die thermal resistance. Typical applications include DC-AC conversion, DC-DC conversion, energy storage systems, UPS, AC-DC conversion, electric vehicle charging stations, and solar inverters.

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