FFSH4065BDN-F085

onsemi
863-FFSH4065BDN-F085
FFSH4065BDN-F085

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 650V

規格書:
ECAD模型:
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數量 單價
總價
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HK$66.34 HK$663.40
HK$62.80 HK$7,536.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
40 A
650 V
1.38 V
84 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSH4065BDN-F085
AEC-Q101
Tube
品牌: onsemi
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
Pd - 功率消耗 : 127 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 30
子類別: Diodes & Rectifiers
公司名稱: EliteSiC
Vr - 反向電壓: 650 V
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所選屬性: 0

規格書

PCN

CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

FFSPx065BDN-F085 Automotive SiC Schottky Diodes

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D2 EliteSiC Diodes

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650V SiC肖特基二極體

安森美 (onsemi) 650 V SiC肖特基二極體為基於矽的裝置提供卓越的開關性能及更高的可靠性。這些SiC肖特基二極體無反向恢復電流，具有溫度獨立開關及卓越的熱性能。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。

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