GCMX010A120B3B1P

Name: SemiQ GCMX010A120B3B1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX010A120B3B1P
Price: 693.11 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

148-GCMX010A120B3B1P

製造商編號：

GCMX010A120B3B1P

製造商：

SemiQ

說明：

MOSFET模組 SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module

規格書:

GCMX010A120B3B1P 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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	HK$693.11	HK$27,724.40
	HK$659.90	HK$79,188.00
520	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	SemiQ
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Screw Mount
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	173 A
Rds On - 漏-源電阻:	9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.8 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	577 W
系列:	GCMX
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	SemiQ
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	28 ns
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	17 ns
原廠包裝數量:	40
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	Half-Bridge
標準斷開延遲時間:	86 ns
標準開啟延遲時間:	43 ns

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規格書

GCMX010A120B3B1P 規格書 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX 1200V SiC MOSFET半橋模組

SemiQ GCMX 1200 V SiC MOSFET半橋模組具有低開關損耗、低結至外殼熱阻，並且非常堅固且易於安裝。這些模組直接安裝散熱片（隔離封裝）並包含開爾文基準以確保穩定運作。所有零件均經過嚴格測試，可承受1350V以上的電壓。這些模組的突出特點是穩健的1200V漏源電壓。GCMX半橋模組的工作結溫為175°C，並符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統和高壓DC-DC轉換器。