GCMX080A120B2H1P

SemiQ
148-GCMX080A120B2H1P
GCMX080A120B2H1P

製造商：

說明：
MOSFET模組 SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於SemiQ GCMX080A120B2H1P的資訊

庫存量: 35

庫存：
35 可立即送貨
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$328.14 HK$328.14
HK$283.75 HK$2,837.50
HK$283.67 HK$28,367.00
完整捲（訂購多個40）
HK$283.75 HK$11,350.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
SemiQ
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Press Fit
N-Channel
1.2 kV
27 A
77 mOhms
- 5 V, + 20 V
1.8 V
- 40 C
+ 175 C
119 W
GCMX
Reel
Cut Tape
品牌: SemiQ
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 4 ns
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 3 ns
原廠包裝數量: 40
子類別: Discrete and Power Modules
類型: Full Bridge
標準斷開延遲時間: 18 ns
標準開啟延遲時間: 10 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GCMX 1200V SiC MOSFET全橋模組

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET全橋模組具有低開關損耗、低結至外殼熱阻，並且非常堅固且易於安裝。這些模組直接安裝散熱片（隔離封裝）並包含開爾文基準以確保穩定運作。所有零件均經過嚴格測試，可承受1350V以上的電壓。這些模組的標誌特徵是穩健的1200V漏源電壓。GCMX全橋模組的工作結溫為175°C，並符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能係統和高壓DC-DC轉換器。

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。