IPW95R060PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW95R060PFD7XKS
IPW95R060PFD7XKSA1

製造商：

說明：
MOSFET HIGH POWER_NEW

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$109.08 HK$109.08
HK$88.78 HK$887.80
HK$73.98 HK$7,398.00
HK$65.84 HK$31,603.20
HK$61.57 HK$73,884.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
74.7 A
60 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
315 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
組裝國家: CN
擴散國: Not Available
原產國: DE
下降時間: 7.1 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 25 ns
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 248 ns
標準開啟延遲時間: 48 ns
零件號別名: IPW95R060PFD7 SP005547003
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

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