IS42S32200N-6TL

ISSI
870-IS42S32200N-6TL
IS42S32200N-6TL

製造商：

說明：
DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 209

庫存：
209 可立即送貨
工廠前置作業時間：
12 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1   上限： 58
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$39.37 HK$39.37
HK$36.66 HK$366.60
HK$35.59 HK$889.75
HK$34.77 HK$1,738.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
32 bit
166 MHz
TSOP-II-86
2 M x 32
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
品牌: ISSI
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 108
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 70 mA
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

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