IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR

ISSI
870-6E2M16EBLL70BLIT
IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR

製造商：

說明：
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個2500）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$44.80 HK$44.80
HK$41.76 HK$417.60
HK$40.52 HK$1,013.00
HK$39.62 HK$1,981.00
HK$38.63 HK$3,863.00
完整捲（訂購多個2500）
HK$38.63 HK$96,575.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TFBGA-48
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: ISSI
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW
存儲類型: SDR
濕度敏感: Yes
產品類型: SRAM
系列: IS66WVE2M16EBLL
原廠包裝數量: 2500
子類別: Memory & Data Storage
類型: Asynchronous
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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