IS66WVR8M8FBLL-104NLI

ISSI
870-WVR8M8FBLL104NLI
IS66WVR8M8FBLL-104NLI

製造商:

說明:
DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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庫存量: 779

庫存:
779
可立即送貨
在途量:
300
工廠前置作業時間:
12
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1   上限: 353
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$43.24 HK$43.24
HK$40.28 HK$402.80
HK$39.05 HK$781.00
HK$38.14 HK$1,907.00
HK$37.24 HK$3,724.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: DRAM
RoHS:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
64 Mbit
8 bit
104 MHz
SOIC-8
8 M x 8
7 ns
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
品牌: ISSI
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 100
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 15 mA
找到產品:
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.