IS66WVS8M8FALL-104NLI

ISSI
870-WVS8M8FALL104NLI
IS66WVS8M8FALL-104NLI

製造商：

說明：
DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 139

庫存：
139
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在途量:
100
工廠前置作業時間：
12
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1   上限： 15
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$42.58 HK$42.58
HK$40.85 HK$408.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: DRAM
RoHS:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
64 Mbit
8 bit
104 MHz
SOIC-8
8 M x 8
7 ns
1.65 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
品牌: ISSI
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 100
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 15 mA
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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