R8019KNZ4C13

ROHM Semiconductor
755-R8019KNZ4C13
R8019KNZ4C13

製造商：

說明：
MOSFET TO247 800V N CH 19A

壽命週期:
新產品:
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規格書:
ECAD模型:
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20
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最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$82.36 HK$82.36
HK$57.54 HK$575.40
HK$44.14 HK$4,414.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
Si
Through Hole
TO-247G-3
N-Channel
1 Channel
800 V
19 A
265 mOhms
30 V
4.5 V
65 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
Tube
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 60 ns
互導 - 最小值: 2.5 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 50 ns
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 110 ns
標準開啟延遲時間: 35 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.

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