RGS50TSX2GC11

ROHM Semiconductor
755-RGS50TSX2GC11
RGS50TSX2GC11

製造商：

說明：
IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於ROHM Semiconductor RGS50TSX2GC11的資訊

庫存量: 721

庫存：
721 可立即送貨
工廠前置作業時間：
22 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$74.56 HK$74.56
HK$43.73 HK$437.30
HK$38.06 HK$3,806.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
50 A
395 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
品牌: ROHM Semiconductor
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TH
柵射極漏電電流: 500 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 450
子類別: IGBTs
零件號別名: RGS50TSX2
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

PCN

Specification Sheets

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2x Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter, UPS, PV inverters, and power conditioner applications. The RGSx0TSX2x IGBTs offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。