SIJH5100E-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIJH5100E-T1-GE3
SIJH5100E-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET PWRPK 100V N-CH MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-4
N-Channel
1 Channel
100 V
277 A
1.89 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 21 ns
互導 - 最小值: 120 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 17 ns
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 41 ns
標準開啟延遲時間: 24 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low RDS(on). These power MOSFETs offer 30V VDS and very low RDS x Qg Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A ID and 19.9nC Qg. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A ID and 21nC Qg. This 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.

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