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SISF00DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF00DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF00DN-T1-GE3
Price: 6 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

78-SISF00DN-T1-GE3

製造商編號：

SISF00DN-T1-GE3

製造商：

Vishay Semiconductors

說明：

MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

規格書:

SISF00DN-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerPAK-1212-8SCD-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	60 A
Rds On - 漏-源電阻:	4.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 16 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.1 V
Qg - 閘極充電:	53 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	69.4 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	TrenchFET, PowerPAK
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay Semiconductors
配置:	Dual
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	10 ns
互導 - 最小值:	130 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	32 ns
系列:	SISF
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2 N-Channel
標準斷開延遲時間:	22 ns
標準開啟延遲時間:	10 ns
每件重量:	488.500 mg

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所選屬性: 0

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規格書

SISF00DN-T1-GE3 規格書

Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

整合式MOSFET解決方案

Vishay整合式MOSFET解決方案將多項元件整合至單一晶片，使其擁有更高的功率密度和效率，設計更簡化，而且還能減少材料清單 (BOM) 成本。這些單晶和多晶MOSFET整合了蕭特基二極體與ESD防護等功能。這些MOSFET具備低導通電阻的N和P通道TrenchFET®技術，以及低熱阻。

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^®第四代MOSFET是下一代TrenchFET^®系列功率MOSFET。TrenchFET第四代MOSFET在PowerPAK^® SO-8及1212-8S封裝中提供工業低電阻與低柵極總電荷。這些TrenchFET第四代MOSFET具有極低的R_DS(on)特性，轉化為更低的傳導損耗，從而降低功耗。TrenchFET MOSFET還配備了節省空間的PowerPAK^® 1212-8封裝，具有類似的效率，但體積只有它的三分之一。典型應用包括大功率DC/DC變換器、同步整流、太陽能微型逆變器及電機驅動開關。