STGW25M120DF3

STMicroelectronics
511-STGW25M120DF3
STGW25M120DF3

製造商：

說明：
IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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規格書:
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HK$28.44 HK$284.40
HK$23.67 HK$2,367.00
HK$22.44 HK$13,464.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
50 A
326 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
品牌: STMicroelectronics
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 600
子類別: IGBTs
每件重量: 38 g
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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