TRS10A65F,S1Q

Toshiba
757-TRS10A65F,S1Q
TRS10A65F,S1Q

製造商:

說明:
碳化矽肖特基二極管 RECT 650V 10A RDL SIC SKY

ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$54.17 HK$54.17
HK$33.29 HK$332.90
HK$24.58 HK$2,458.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
Through Hole
TO-220F-2L
Single
10 A
650 V
1.45 V
79 A
500 nA
+ 175 C
Tube
品牌: Toshiba
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 50
子類別: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓: 650 V
零件號別名: TRS10A65F,S1Q(S2
每件重量: 1.830 g
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.