TRS30H120H,S1Q

Toshiba
757-TRS30H120HS1Q
TRS30H120H,S1Q

製造商:

說明:
碳化矽肖特基二極管 RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$126.34 HK$126.34
HK$78.75 HK$787.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2L
Single
83 A
1.2 kV
1.27 V
1.63 kA
2.8 uA
+ 175 C
品牌: Toshiba
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
Pd - 功率消耗 : 394 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
子類別: Diodes & Rectifiers
找到產品:
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所選屬性: 0

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.