TRS40H120H,S1Q

Toshiba
757-TRS40H120HS1Q
TRS40H120H,S1Q

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W

壽命週期:
新產品:
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規格書:
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最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$152.73 HK$152.73
HK$100.45 HK$1,004.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Toshiba
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2L
Single
102 A
1.2 kV
1.27 V
1.91 kA
3.6 uA
+ 175 C
Tube
品牌: Toshiba
組裝國家: CN
擴散國: JP
原產國: CN
Pd - 功率消耗 : 454 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 30
子類別: Diodes & Rectifiers
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.

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