PowerSaver 半導體

半導體的類型

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選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 96
倍數: 96

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1


ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500


ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000