4829 離散半導體

分離式半導體的類型

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結果: 8
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 技術 安裝風格 封裝/外殼

Vishay / Siliconix MOSFET 20V 2.0A 3.1W 215mohm @ 4.5V 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 2,868庫存量
357在途量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 341庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 567庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Nexperia 雙極結晶體管 - BJT SOT323 65V .1A PNP BJT
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323-3
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
最少: 1
倍數: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IFS150B12N3E4PB50BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 LOW POWER ECONO 無庫存前置作業時間 13 週
最少: 6
倍數: 6

IGBT Modules Si
Nexperia 雙極結晶體管 - BJT SOT323 65V .1A PNP BJT 無庫存前置作業時間 53 週
最少: 1
倍數: 1
: 10,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323-3