HS1Q 碳化矽肖特基二極管

結果: 12
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 配置 If - 順向電流 Vrrm - 重複反向電壓 Vf - 順向電壓 Ifsm - 順向浪湧電流 Ir - 反向電流 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L 31庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W 28庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L 224庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L 92庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY 56庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.27 V 690 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY 67庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L 120庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY 114庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2 Single 61 A 1.2 kV 1.27 V 1.08 kA 2 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY 15庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.27 V 940 A 1.4 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L 31庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
68在途量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube