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FS55MR12W1M1HB11NPSA1

Name: Infineon FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS55MR12W1M1HB11
Price: 463.44 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-FS55MR12W1M1HB11

製造商編號：

FS55MR12W1M1HB11NPSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET模組 Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module

規格書:

FS55MR12W1M1HB11NPSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

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HK$-.--

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$463.44	HK$463.44
	HK$388.23	HK$3,882.30

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET模組
技術:	Si
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	M1H
封裝:	Tray
品牌:	Infineon Technologies
配置:	6-Pack
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
產品:	SiC IGBT Modules
產品類型:	MOSFET Modules
原廠包裝數量:	24
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	EasyPACK CoolSiC
零件號別名:	FS55MR12W1M1H_B11 SP005551133

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規格書

FS55MR12W1M1HB11NPSA1 規格書 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.

1200V CoolSiC™模組

英飛凌科技1200V CoolSiC™模組為具備出色效率與系統彈性等級的碳化矽 (SiC) MOSFET模組。這些模組採用近閾值電路 (NTC) 和PressFIT接點技術。此CoolSiC模組具有高電流密度、同級最佳的切換和傳導損耗以及低電感設計的特點，可提供高頻運作、更高的功率密度，以及經過最佳化的開發週期時間與成本。