GCMS020B120S1-E1

SemiQ
148-GCMS020B120S1-E1
GCMS020B120S1-E1

製造商：

說明：
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
SemiQ
產品類型: 離散半導體模組
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RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
Silicon Carbide (SiC) Module
SiC
1.49 V
- 5 V, + 10 V
Screw Mount
SOT-227-4
- 55 C
+ 175 C
GCMS
Tube
品牌: SemiQ
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: PH
下降時間: 25 ns
Id - C連續漏極電流: 113 A
Pd - 功率消耗 : 395 W
產品類型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 漏-源電阻: 28 mOhms
上升時間: 8 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: Discrete Semiconductor Modules
晶體管極性: N-Channel
標準斷開延遲時間: 46 ns
標準開啟延遲時間: 25 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
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所選屬性: 0

規格書

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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