IXYS IXGH30N120 系列 IGBT

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝

IXYS IGBT 60 Amps 1200V
規格書
251庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 30 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH30N120 Tube

IXYS IGBT High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
規格書
無庫存前置作業時間 44 週
最少： 300
倍數： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.6 V 20 V 48 A - 55 C + 150 C IXGH30N120 Tube