Microchip POWER MOS 8 IGBT

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-264
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 117 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Single 600 V 80 A TO-247
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube