4402 電晶體

結果: 20
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V 12,383庫存量
最少: 1
倍數: 1

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 2,834庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel
Vishay Semiconductors SISD4402DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
最少: 1
倍數: 1
MOSFETs
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R2
MACOM 氮化鎵場效應管 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT 暫無庫存
最少: 250
倍數: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB184402FC-V1-R0
MACOM 氮化鎵場效應管 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT 暫無庫存
最少: 50
倍數: 50
: 50
GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB224402FC-V1-R0
MACOM 氮化鎵場效應管 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT 暫無庫存
最少: 50
倍數: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000

MOSFETs Si
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R0
MACOM 氮化鎵場效應管 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT 暫無庫存
最少: 50
倍數: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

MOSFETs Si
Nexperia MOSFET PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK 2,427庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Infineon Technologies RF雙極結體管 RF BIP TRANSISTOR 36,667庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323 NPN
MACOM GTRB224402FC-V1-R2
MACOM 氮化鎵場效應管 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT 暫無庫存
最少: 250
倍數: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB184402FC-V1-R2
MACOM 氮化鎵場效應管 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT 暫無庫存
最少: 250
倍數: 250
: 250
GaN FETs GaN-on-SiC
Central Semiconductor 2N4402 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 無庫存前置作業時間 42 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM PBFREE
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW 無庫存前置作業時間 42 週
最少: 2,500
倍數: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,500
倍數: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE PBFREE
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor 雙極結晶體管 - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 無庫存前置作業時間 42 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
5,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8-32 N-Channel