STMicroelectronics IGBT

結果: 203
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 封裝/外殼 安裝風格 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 柵極發射機最大電壓 連續集電極電流在25 C Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 資格 封裝
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 600
倍數: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 600
倍數: 600

Si - 20 V, 20 V STGWA30M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT 1250V 25A trench gte field-stop IGBT 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 600
倍數: 300

Si TO-3P-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT28IH125DF Tube