BIMOSFET IGBT

結果: 38
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 封裝/外殼 安裝風格 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 柵極發射機最大電壓 連續集電極電流在25 C Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
IXYS IGBT 40 Amps 1600V N/A
最少: 1
倍數: 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 1.6 kV 6.2 V - 20 V, 20 V 28 A 250 W - 55 C + 150 C IXBF40N160 Tube
IXYS IGBT High Voltage High Gain BIMOSFET 無庫存前置作業時間 57 週
最少: 300
倍數: 25

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 3 kV 2.7 V - 25 V, 25 V 86 A 357 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT BIMOSFET 2500V 75A 無庫存前置作業時間 80 週
最少: 300
倍數: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 2.5 kV 3 V - 25 V, 25 V 156 A 753 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT 65Amps 1700V 暫無庫存
最少: 10
倍數: 10

Si TO-264-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXBK75N170
IXYS IGBT 3600V/92A Rev Conducting IGBT 暫無庫存
最少: 25
倍數: 25

Si ISOPLUS i5-PAC-3 Through Hole Tube
IXYS IGBT MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK 無庫存前置作業時間 57 週
最少: 300
倍數: 25

Si ISOPLUS i5-PAC-3 Through Hole Very High Voltage Tube
IXYS IGBT 42 Amps 1700V 6.0 V Rds 無庫存前置作業時間 37 週
最少: 300
倍數: 10

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 38 A 313 W - 55 C + 150 C IXBN42N170 Tube
IXYS IGBT 57Amps 1700V 暫無庫存
最少: 30
倍數: 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole IXBR42N170 Tube
IXYS IGBT 10 Amps 1700V 2.3 Rds 無庫存前置作業時間 70 週
最少: 300
倍數: 30
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 20 A 140 W - 55 C + 150 C IXBT10N170 Tube
IXYS IGBT BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBT 無庫存前置作業時間 70 週
最少: 300
倍數: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT IXBT24N170 Tube
IXYS IGBT 65Amps 1700V 無庫存前置作業時間 39 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXBX75N170 Tube
IXYS IGBT 75 Amps 1700V 6.00 Rds N/A

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.7 kV 4.95 V - 20 V, 20 V 75 A 625 W - 55 C + 150 C IXBN75N170 Tube
IXYS IGBT 5 Amps 1600V 無庫存前置作業時間 33 週

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.6 kV 4.9 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXBP5N160 Tube