4404 MOSFET

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 資格 公司名稱 封裝
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 5,482庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000

Si 30 V 60 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000

Si 30 V 60 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 209庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 無庫存前置作業時間 11 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies BSC0580NSATMA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 186 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel