IXFA130N10 系列 MOSFET

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
規格書
285庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 130 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms HiPerFET Tube