IXFL38N100 系列 MOSFET

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET 38 Amps 1000V 0.21 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 29 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q2-Class HiperFET 1000, 22A
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 22 A 280 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube