IXTH30N50 系列 MOSFET

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝

IXYS MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
規格書
266庫存量
300在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 240 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement PolarHV Tube

IXYS MOSFET 30 Amps 500V 0.17 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 170 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 360 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 30 Amps 500V
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms Tube