IXYS 碳化矽MOSFET

結果: 29
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
規格書
392庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L
規格書
63庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT D2PAK-7 (TO-263-7) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.4 A 750 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
規格書
更多資訊可用
最少： 1
倍數： 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET TO268 1.2KV 90A SIC POWER
規格書
無庫存前置作業時間 92 週
最少： 30
倍數： 30

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 90 A 34 mOhms - 20 V, + 20 V 2 V - 40 C + 150 C