PowerSaver 記憶體 IC

記憶體 IC的類型

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結果: 182
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 產品類型 安裝風格 封裝/外殼 存儲容量 接口類型
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
最大: 200
: 2,000

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SRAM SMD/SMT TSOP-32 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP I, RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT TSOP-28 256 kbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin SOJ, RoHS 暫無庫存
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT SOJ-28 256 kbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 暫無庫存
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 300
倍數: 300

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 300
倍數: 300

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 暫無庫存
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 暫無庫存
最少: 240
倍數: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 300
倍數: 300

DRAM SMD/SMT BGA-60 256 Mbit