Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBT是新世代的薄晶圓IGBT(絕緣閘雙極電晶體)，與目前領先的產品相較下，傳導與開關耗損極低。TRENCHSTOP 5是針對開關頻率高於10kHz的應用所設計。晶圓厚度減少25%以上，大幅改善開關及傳導耗損，更將擊穿電壓提高到650V。效能提升幅度驚人，為設計人員打開了嶄新的探索機會。

特點

  • 650V擊穿電壓
  • 與「HighSpeed 3」系列相比較：
    • Qg因數少了2.5倍
    • 開關耗損因數減少了2倍
    • VCE(sat) 減少了200mV
  • 結合了Infineon Technologies的全新 'Rapid' 矽二極體技術
  • 低Coss/Eoss
  • 溫和的正溫度係數VCE(sat)
  • 在不影響可靠性的情况下，匯流排電壓有可能新增50V
  • VF的溫度穩定性
  • 一流的效率，降低接頭和外殼溫度，提高裝置可靠性
  • 更高的功率密度設計

應用

  • PFC + PWM技術應用於：
    • 焊接
    • UPS
    • 太陽能

影片

{"PlayerType":"Playlist","BrightcoveId":"4575201019001"}

深入瞭解

其他資源

{"IsParent":false,"RelatedContentTitle":"開發工具","ModuleId":67730,"MarketingIds":["166658199"]}
{"IsParent":false,"RelatedContentTitle":"相關產品","ModuleId":55765,"MarketingIds":["133252320","151872182","106502545","181147588","162303987","138615089"]}

Infineon Power and Sensing Selection Guide