特點
- 符合AEC-Q101標準
- 採用汽車級E系列技術的快速本體二極體MOSFET
- 在TJ下可達700V最高汲極-源極電壓 (VDS)
- 25ºC時可達650V汲極-源極電壓 (VDS)
- ±30V閘極-源極電壓 (VGS)
- 0.045Ω汲極-源極導通電阻 (RDS(on))
- 229 nC閘極電荷 (Qg)
- 低品質因數 (FOM) (RDS(on)) x Qg
- 更短的204 ns反向恢復時間 (trr)
- 1.9μC反向恢復電荷 (Qrr)
- 18A反向恢復電流 (IRRM)
- 7379 pF低輸入電容 (Ciss)
- 低反向恢復電荷,使切換耗損更低
- 625W最大功率消耗 (PD)
- 符合能源突崩等級 (UIS)
- 作業接點與存放溫度範圍 (TJ、Tstg):-55°C至+175°C
- 3導線TO-247AD封裝
- 無鹵素、無鉛、符合RoHS標準
應用
- 汽車內建充電器
- 汽車用DC-DC轉換器
eBook
內部電路與典型輸出
開關時間測試電路
閘極電荷測試電路
封裝尺寸
Infographic
發佈日期: 2021-03-29
| 更新日期: 2022-06-07
