Vishay / Siliconix SQW61N65EF車用E系列功率MOSFET

Vishay / Siliconix SQW61N65EF車用E系列功率MOSFET是採用汽車級E系列技術的單路N溝道快速本體二極體MOSFET。SQW61N65EF擁有更少的反向恢復時間、反向恢復電荷和反向恢復電流。本裝置亦具備229 nC閘極電荷和0.045Ω汲極-源極導通電阻,使其擁有超低的品質因數 (FOM)。符合AEC-Q101標準的SQW61N65EF提供了-55°C至+175°C的寬廣作業接點溫度範圍,是汽車應用的理想選擇。

特點

  • 符合AEC-Q101標準
  • 採用汽車級E系列技術的快速本體二極體MOSFET
  • 在TJ下可達700V最高汲極-源極電壓 (VDS)
  • 25ºC時可達650V汲極-源極電壓 (VDS)
  • ±30V閘極-源極電壓 (VGS)
  • 0.045Ω汲極-源極導通電阻 (RDS(on))
  • 229 nC閘極電荷 (Qg)
  • 低品質因數 (FOM) (RDS(on)) x Qg
  • 更短的204 ns反向恢復時間 (trr)
  • 1.9μC反向恢復電荷 (Qrr)
  • 18A反向恢復電流 (IRRM)
  • 7379 pF低輸入電容 (Ciss)
  • 低反向恢復電荷,使切換耗損更低
  • 625W最大功率消耗 (PD)
  • 符合能源突崩等級 (UIS)
  • 作業接點與存放溫度範圍 (TJ、Tstg):-55°C至+175°C
  • 3導線TO-247AD封裝
  • 無鹵素、無鉛、符合RoHS標準

應用

  • 汽車內建充電器
  • 汽車用DC-DC轉換器

eBook

Vishay / Siliconix SQW61N65EF車用E系列功率MOSFET

內部電路與典型輸出

電路圖 - Vishay / Siliconix SQW61N65EF車用E系列功率MOSFET

開關時間測試電路

應用電路圖 - Vishay / Siliconix SQW61N65EF車用E系列功率MOSFET

閘極電荷測試電路

Vishay / Siliconix SQW61N65EF車用E系列功率MOSFET

封裝尺寸

機械製圖 - Vishay / Siliconix SQW61N65EF車用E系列功率MOSFET

Infographic

Vishay / Siliconix SQW61N65EF車用E系列功率MOSFET
發佈日期: 2021-03-29 | 更新日期: 2022-06-07